楼主      问题： Intel涉足基于SOI的浮体存储技术 计划15nm节点导入 发布时间： 2008-6-18 下午3:47
作者： 编辑部 等级： 缥缈剑仙 积分： 22545 分 发送消息 查看用户的所有发言		Intel涉足基于SOI的浮体存储技术 计划15nm节点导入[来源：EETIMES] 摘要：据EE Times网站报道，在夏威夷举行的2008 VLSI技术论坛（2008 Symposium on VLSI Techonoly）上，Intel将介绍基于SOI（绝缘体上的硅）的浮体单元（FBC）技术，用于先进微处理器的缓存设计。 目前存在的巨大疑问是，Intel最终是否会采用SOI技术，该公司将介绍目前全球最小的基于FBC的平面器件，可能在15nm节点导入。Intel同时还将介绍新型SRAM缓存单元设计。这些技术都还处于研发阶段。 Intel的竞争对手AMD也正关注FBC技术——或称为FBRAM（floating body RAM）。两年前，AMD获得了Innovative Silicon Inc.的嵌入式FBC技术许可。 多年来，FBC技术一直被认为是常规缓存的替代技术，主要是由于目前的电容式存储在性能提升方面已达极限。FBC较目前使用的6管单元SRAM缓存相比，存储密度大大提升。 FBC技术是利用SOI MOS器件独有的浮体效应所开发的存储技术。 阅读全文：http://www.semi.org.cn/news/news_show.aspx?id=6927

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