松下电工就该公司与东京农工大学联合开发出采用“纳米硅电子源”发光元件一事，对采用该元件便于提高理论发光效率的原因做出以下解释（参阅本站报道）。

　　“向此次开发的发光元件电极间施加的电压仅为20V。虽然电压很低，但仍可从电子源放射出具有8～12eV能量的电子，与氙气碰撞。这样可直接激发氙分子，产生波长极短、仅为100～200nm的紫外线（真空紫外线）。紫外线照射到荧光体后可转换为可见光。

　　另外，以往的荧光灯大多采用“电离放电”。电离放电是指至少在亮灯时向电极间施加高电压，使水银气及氙气等气体出现失去绝缘性的“绝缘破坏”现象。由此产生的电子与气体分子等发生碰撞后，会产生更多的电子，这种过程反复进行，将使电子呈雪崩状增加。另外，电离后的分子与电极发生碰撞也会导致电子增多。这会造成能量损失”（松下电工）。

　　而此次的发光元件，虽然产生高能量电子，但由于施加的是低电压，在绝缘破坏或雪崩时不会产生电子，因此能量损失较小。

　　目前的荧光灯大多封入水银。虽然也有采用氙气的产品，但发光效率仅为30lm/W左右。而此次开发的发光元件不仅能够采用氙气，还可实现较高的发光效率，因此这是一项具有发展前景的技术。